基本信息
cas:1303-00-0
中文名称:砷化镓
中文别名:
英文名称:gallanylidynearsane
英文别名:arsanylidynegallium;Gallium monoarsenide;GALLIUM ARSENIDE;EINECS 215-114-8;
分子式:AsGa
分子量:144.64500
精确质量:143.84700
PSA:0.00000
LOGP:-0.31160
物化性质
外观与性状:灰色立方体晶体
密度:5.31 g/mL at 25 °C(lit.)
熔点:1238°C
储存条件:库房通风低温干燥
安全信息
RTECS号:LW8800000
安全说明:S20/21; S28; S45; S60; S61
危险类别码:R23/25
WGK Germany:3
危险品运输编码:UN 1557 6.1/PG 2
海关编码:2853009022
危险类别:6.1
包装等级:II
危险品标志:T; N
危险标志:GHS08
危险性描述:H350; H372
信号词:Danger
危险性防范说明:P201; P308 + P313
生产方法及用途
生产方法
先往一端封闭的透明石英安瓿中送入装有纯镓的石英盘,然后加入纯砷,在5×10-6Torr(1Torr=133 322Pa)下,真空封口。砷的加入量为其当量的1.1~1.2倍(因为砷是利用蒸气压控制的,所以加入量必须比充满整个安瓿还要多一些)。为防止砷化镓及盘受潮湿,必须向盘里面喷砂大约150~300次。将上述安瓿装好,装有砷的A炉加热到610℃,装有镓的B炉加热到1250℃(根据安瓿的大小,可按砷摩尔量的1.1~1.2倍加入之)。 加热到610℃的砷的蒸气压为101.325kPa,与加热到1250℃的镓进行反应,产生砷化镓。经过4~5h后,将安瓿每1h往A炉拉出5~20mm,则从盘的前端逐渐生长出单晶。

用途

用于制造光电器件(LCD),激光器(LD),场效应晶体管(FET),高电子迁移率晶体管(HEMT),异质结双极晶体管(HBT),高速器件和微波单片集成电路(MMIC),微波/毫米波集成电路(MIMIC),高速集成电路,太阳电池。
毒性
毒性类型/接触途径 测试类型 测试物种 剂量/时间 毒性作用
急性毒性 (腹腔) LD30 - 致死剂量 啮齿动物 - 大鼠 10 gm/kg 1、行为改变-亢奋 2、行为改变-共济失调 3、肺部,胸部或呼吸毒性-呼吸刺激
急性毒性 (腹腔) LD50 - 致命剂量,杀死50% 啮齿动物 - 小鼠 4700 mg/kg 1、周围神经及感觉毒性-无麻醉弛缓麻痹(通常是神经肌肉阻塞) 2、行为改变-嗜睡(一般抑郁症) 3、行为改变-食物摄取改变(动物)
其他多剂量毒性 (吸入) TCLo - 最低的公布毒性浓度 啮齿动物 - 大鼠 12 mg/m3/17W 1、大脑及其覆盖物-伴有来自CNS的特定区域的反应 2、血液毒性-血清组成(例如TP,胆红素,胆固醇) 3、营养和代谢系统毒性-体重减轻或体重增加减少
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